浙江省2009年7月高等教育自學(xué)考試
線性電子電路試題
課程代碼：02340

一、填空題(本大題共10小題，每小題1分，共10分)
請在每小題的空格中填上正確答案。錯填、不填均無分。
1.在P型半導(dǎo)體中，導(dǎo)電時以______為主。
2.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于______。
3.晶體三極管工作在放大區(qū)時，IC=______IB。
4.晶體三極管具有放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置和______結(jié)反向偏置。
5.場效應(yīng)管工作在非飽和區(qū)時，其ID和VDS之間呈______關(guān)系。
6.通常將開始形成反型層所需的VGS值稱為______電壓。
7.三種晶體三極管基本組態(tài)放大電路中，______組態(tài)輸入電阻最小。　
8.已知某晶體三極管的高頻參數(shù)fT、β，則共基截止頻率fα約為______。
9.需要一個阻抗變換電路，其輸入電阻小，應(yīng)引入______負(fù)反饋電路。
10.為充分提高負(fù)反饋的效果，串聯(lián)負(fù)反饋要求信號源內(nèi)阻______。

二、單項選擇題(本大題共15小題，每小題2分，共30分)
在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題后的括號內(nèi)。錯選、多選或未選均無分。
1.半導(dǎo)體中的載流子是指（ ）
A.自由電子
B.空穴
C.離子
D.自由電子和空穴

2.穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓狀態(tài)時，它的PN結(jié)處在______狀態(tài)。（ ）
A.反向截止
B.反向擊穿
C.正向?qū)��?
D.零偏

3.測得三極管IB=30μA時，IC=2.4mA，而IB=40μA時，IC=3mA，則該管的交流電流放大倍數(shù)為（ ）
A.80
B.60
C.75
D.100

4.晶體三極管的輸出特性曲線分為四個區(qū)，請問哪個區(qū)具有基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)？（ ）
A.飽和區(qū)
B.截止區(qū)
C.放大區(qū)
D.擊穿區(qū)

5.根據(jù)場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，可知場效應(yīng)管是一種______器件。（ ）
A.電壓控制電壓源
B.電流控制電壓源
C.電壓控制電流源
D.電流控制電流源

6.某場效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自源極流出，大小為8mA，則該管是（ ）
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道耗盡型MOS管
C.P溝道增強型MOS管
D.N溝道增強型MOS管

7.共集電極放大電路的特點之一是（ ）
A.輸入電阻高
B.電壓增益大
C.輸入輸出反相
D.輸出電阻高

8.集成運算放大器實質(zhì)上是一種（ ）
A.交流放大器
B.高增益的交流放大器
C.高增益的直接耦合放大器
D.高增益的高頻放大器

9.負(fù)反饋可以改善放大器的性能，問關(guān)于放大器下述哪種說法不正確？（ ）
A.減少放大器的增益
B.改變輸入電阻
C.改變輸出電阻
D.改善信號源的噪聲系數(shù)

10.某放大電路的電壓增益為40dB，而加入負(fù)反饋后變?yōu)?dB，它的反饋深度F為（ ）
A.30dB
B.34dB
C.46dB
D.50dB

11.溫度增加時，在ID不變的情況下，晶體二極管的VD（on）將（ ）
A.增大
B.減小
C.不變
D.未知

12.已知某晶體三極管的β=99，則該管的共基電流放大系數(shù)α為（ ）
A.1.00
B.0.995
C.0.99
D.0.985

13.當(dāng)場效應(yīng)管的VGS<VGS(th)時，則該管工作在（ ）
A.飽和區(qū)
B.非飽和區(qū)
C.擊穿區(qū)
D.截止區(qū)

14.要求晶體管工作在放大區(qū)，若是NPN晶體管，則三個電極電位VB、VE、VC之間應(yīng)滿足何種關(guān)系？（ ）
A.VC>VB>VE
B.VC>VE>VB
C.VC<VB<VE
D.VC<VE<VB

15.反饋放大器工作在開環(huán)狀態(tài)是指（ ）
A.考慮信號源作用
B.接入反饋網(wǎng)絡(luò)
C.斷開反饋網(wǎng)絡(luò)
D.考慮負(fù)載作用